英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓，成功將其硅功率晶圓的厚度減半至20微米（μm）。
據英飛凌電源和傳感器系統部門的Adam White介紹，與傳統硅晶圓相比，這種20微米的功率晶圓厚度減少了50%，基板電阻也相應降低了50%，進而使功率系統中的功率損耗減少了15%以上。
厚度20μm僅為頭發絲的四分之一，是目前最先進的40-60μm晶圓厚度的一半。該技術已獲得認可，并被應用于英飛凌的集成智能功率級（直流-直流轉換器）中，且已交付給首批客戶。厚度改進對于高端AI服務器應用尤為重要，因為隨著電流增大，能源需求也隨之上升。通過將電壓從230V降低到1.8V以下的處理器電壓，超薄晶圓技術大大促進了基于垂直溝槽MOSFET技術的垂直功率傳輸設計，實現了與AI芯片處理器的高度緊密連接，從而提高了整體效率。White表示，這種超薄晶圓將主要應用于12V器件，用于下一代AI GPU、TPU和具有垂直功率的CPU的本地電源轉換。這些器件需要在0.8V電壓下提供1000至2000A的大電流，而超薄晶圓技術通過降低RDSon（導通電阻）40%，使得這些器件在性能上有了顯著提升。White指出，這一技術突破將引起40V及以下行業的極大興趣，并已經與AI客戶進行了深入互動。此外，該技術還可應用于消費電子、電機控制和計算等領域。在談到超薄晶圓的處理技術時，White表示，300毫米晶圓的系統和處理是面臨的主要挑戰之一。然而，英飛凌通過遵循特殊步驟和增加工藝步驟，成功克服了這些障礙。與2016年推出的40微米晶圓相比，新的20微米晶圓工藝雖然增加了步驟，但并沒有引入額外的復雜性或資本支出。White強調，硅襯底上的加工過程非常出色，使得這一技術突破得以實現。 此外，White還透露，英飛凌正在掌握硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）這三種關鍵技術。他指出，硅將繼續在許多領域占據主導地位，但英飛凌也在積極推進SiC和GaN技術的發展。在SiC方面，英飛凌正在提升其200毫米晶圓產能；而在GaN方面，英飛凌已經宣布了世界上第一個300毫米GaN功率晶圓，該晶圓具有高頻優勢，適用于5MHz以上的應用。
